氮氧化硅是硅基半导体工艺中的重要资料，其特性介于二氧化硅与氮化硅之间，具有可调控的折射率（1.6-2.1）和介电常数（4.5-7.0）

  ）中，自45纳米节点起被用作栅极绝缘层代替传统二氧化硅，经过高κ介质组合提高器材功用

  范畴的研讨标明，选用氮氧化硅波导构建的干涉仪结构可完成高度均匀的有用折射率，显着下降偏振相关性对器材功用的影响

  技能中，由氮氧化硅构成电荷抓获层的SONOS结构，支撑高效数据擦除及多位存储才能

  在MOSFET结构中，氮氧化硅经过两步NO退火工艺构成超薄栅介质层（5.5nm），相较传统SiO₂可将等效氧化层厚度缩减至1.0nm以下

  根据绝缘体上硅渠道的试验证明，氮氧化硅波导芯层（折射率1.75）与氧化硅包层（折射率1.45）组合可使TE/TM形式折射率差低于0.001，较传统SOI波导下降两个数量级。在波长1550nm条件下，该结构制造的

  规划，氮氧化硅波导的加工差错容忍度提高至±20nm，明显优于二氧化硅波导的±5nm要求

  2024年专利技能发表，厚度5-15nm的氮氧化硅薄膜作为太阳能电池的地道电介质层，可将掺杂剂浸透率下降83%。在P型多晶硅层与N型硅基板间刺进该介质层后，开路电压提高17%，填充因子添加9%。试验数据标明，当氮含量操控在0.3区间时，SiOxNy薄膜的抗穿透才能最优，一起坚持5.5eV以上的禁带宽度

  SONOS型非易失性内存选用二氧化硅-氮氧化硅-二氧化硅三明治结构，经过富尔诺罕隧穿机制完成电荷存储。比较浮栅存储器，其擦除速度提高8倍且循环寿数超越10^5次。但受限于部分硅氧化工艺，单元尺寸较传统规划添加15%，导致存储密度下降。2024年改善工艺选用原子层堆积技能，将氮氧化硅电荷抓获层厚度缩减至6nm，单元尺寸缩减至45nm工艺节点的80%

  热氮化工艺：在900℃氮气气氛中对SiO₂薄膜进行改性，氮浓度最高可达28at.%

  （ALD）：选用双频等离子体技能，完成0.1nm/cycle的准确膜厚操控

  在28nm芯片制程中，氮氧化硅薄膜兼具抗反射层（折射率1.8）和硬掩膜（硬度12GPa）功用

  。最新研讨显现，经过调理反响气体份额，可在单次堆积中取得梯度氮含量的功用薄膜