半导体精密零部件和材料是集成电路制造装备与核心工艺的关键组成部分，直接影响芯片制程精度、设备正常运行稳定性与产业链自主可控水平，是我国半导体产业实现安全发展与高端突破的重要支撑。当前全球半导体产业向中国大陆加速转移，晶圆制造产能持续扩张，等下游领域加快速度进行发展，推动高端半导体零部件、碳化硅基材料及部件需求持续增长。

  在国家大力推进半导体产业链国产化、强化关键材料与核心部件技术攻关的政策导向下，本土企业迎来技术升级与进口替代的重要窗口期，行业对高精度、高可靠性、高一致性的先进零部件与材料研发提出更高要求，技术创新成为企业核心竞争要素。

  神工股份专注于半导体精密零部件、半导体大尺寸硅片相关这类的产品的研发与制造，面对下游客户对产品性能、交付能力与技术迭代速度不断的提高的需求，以及材料学创新与先进检测技术加快速度进行发展带来的行业变革，单位现在有研发场地、设备配置、人才团队与创新体系难以满足长期技术攻坚与产品升级需要。

  为进一步强化核心技术储备、突破碳化硅烧结体、高纯碳化硅粉体、精密与专用检测等关键技术瓶颈，完善全流程研发与验证能力，吸引与稳定高端研发人才，加快研发成果产业化转化，巩固并扩大市场之间的竞争优势，公司亟需通过建设研发中心项目，全方面提升自主创造新兴事物的能力，为企业持续高水平质量的发展和半导体关键环节国产化提供坚实技术保障。

  根据公司未来的发展规划，本项目聚焦碳化硅烧结体、高纯碳化硅粉体、精密与专用检测等关键研发技术及产业化，旨在补齐材料与部件核心研发短板、强化高端半导体零部件技术壁垒，构建“材料—部件—检测—验证”全链条研发体系，为公司半导体核心部件国产替代与规模化落地提供关键技术支撑。

  研发体系升级，支撑技术持续领跑。公司现在存在研发资源主要围绕现有产品工艺优化、良率提升及客户定制化需求开展，面对先进制程持续推进、硅零部件精密加工要求逐步的提升、碳化硅材料技术快速迭代的行业趋势，现有研发设施、试验测试平台及人才体系已难以完全满足前沿技术攻关需求。

  本次研发中心建设项目将打造集研发技术、试验测试、成果转化、人才培养于一体的综合性研发平台，重点围绕碳化硅烧结体制备、高纯碳化硅粉体开发、精密加工技术及专用检测技术等方向开展系统性研发与产业化推进，进一步补齐公司在第三代半导体材料及部件领域的核心研发短板，强化高端半导体零部件技术壁垒，构建“材料—部件—检测—验证”全链条研发体系，支撑公司从单一材料供应商向高端半导体材料及零部件综合解决方案商转型。

  一体化研发平台支撑全产品线升级。本次研发中心建设项目将统筹公司硅材料、硅零部件、碳化硅陶瓷零部件三大业务板块的研发工作，推动各业务线技术协同、资源共享，持续提升产品良率、性能指标与生产稳定性，降低综合生产所带来的成本，更好满足下游客户对高性能、高可靠性零部件的严苛要求。同时，研发中心将进一步加快客户定制化产品研究开发与认证进度，强化公司“材料+零部件”一体化协同优势，持续提升产品整体毛利率与综合盈利能力。

  落实公司发展的策略，深化产业布局、增强长期竞争力的战略。选择神工股份深耕半导体材料领域十余年，形成大直径硅材料、硅零部件、大尺寸硅片三大核心业务，在国内细致划分领域具有行业领头羊，技术与成本优势显著。本次紧扣公司“巩固硅材料优势、做大硅零部件、布局碳化硅”的发展战略。

  研发中心建设项目：夯实技术底座，支撑长期创新与高端突破。项目的实施有助于公司持续完善产品矩阵、优化收入结构、提升抗风险能力，符合公司及全体股东长远利益。

  公司掌握无磁场大直径单晶硅制造、固液界面控制、大尺寸精密加工、CVD‑SiC 等核心技术，22 英寸及以下全规格硅材料工艺成熟，可支撑7nm以下先进制程；硅零部件实现从材料到成品全流程自主可控，良品率与性能达国际水准；碳化硅陶瓷部件有关技术已完成实验室验证，具备中试转化条件。截至报告期末，企业具有多项发明专利与核心知识产权，技术实力支撑项目顺利落地。

  公司已组建覆盖晶体生长、精密加工、半导体材料研发、工艺开发、检测验证等多领域的专业化开发团队，核心技术人员具备多年海内外行业从业经验，团队整体稳定、工程实践能力突出。公司研发人员数量及占比持续提升，人才结构持续优化，能够为本次募投项目的研发攻关、工艺调试、量产落地及后续技术持续迭代提供充足、可靠的人才保障。

  在国内先进存储芯片与逻辑集成电路制造工艺持续升级的推动下，本土外延、薄膜沉积、刻蚀、光刻等工艺环节对高性能碳化硅陶瓷零部件的需求持续强劲增长。根据 Fortune Business Insights™发布的预测数据，2026 年全球碳化硅器件市场规模将达到 50.4 亿美元，预计至 2034 年增长至 186.1 亿美元，2026 年至2034年期间复合年增长率达 17.72%，其中亚太地区占据主导地位，中国市场增速明显高于全球平均水平。

  碳化硅陶瓷部件作为半导体装备核心耗材，受益于先进制程扩产与第三代半导体产业高质量发展双重驱动，市场需求进入快速地增长阶段。公司依托在半导体材料领域的技术积累、工艺经验及现有客户资源优势，可快速实现碳化硅陶瓷部件产品导入、客户验证与批量供货，产业化前景明确，整体市场空间广阔。

  在全球供应链不确定性提升的背景下，下游晶圆厂与设备厂加速推进供应链本土化、多元化布局，本土半导体材料及零部件企业获得更多产品导入与验证机会。公司作为国内少数具备全链条自主能力的本土供应商，贴近国内市场、客户响应速度快、综合服务能力强，可深度绑定下游核心客户的真实需求，充分受益于半导体材料国产替代红利，为本次募投项目实施提供稳定、可持续的市场基础。

  公司已建立覆盖全球知名半导体材料厂商、国内主流存储晶圆制造企业及刻蚀设备制造企业的优质客户体系，客户合作稳定、粘性较高。本次募投项目产品与公司现在存在客户群体、产品需求高度重合，公司品牌口碑、产品质量及综合服务能力将为项目市场开拓与客户导入提供有利条件。

  公司与全球领先的设备供应商、材料供应商、加工服务商及检验测试的机构建立长期稳定合作伙伴关系，供应链体系成熟、配套完善、抗风险能力强。上游关键原材料以及设备供应稳定，生产的基本工艺与设备匹配度高，可充分保障本次扩产项目与产业化项目顺利实施，确保对客户批量订单的稳定交付能力，支撑公司业务持续扩张。

  本项目实施主体为神工股份，本项目预计实施周期为3 年，计划总投资额为20,643.13 万元，最重要的包含工程费用、建筑工程费、设备及软件购置费、工程建设另外的费用、预备费。本项目拟使用募集资金投入 20,000.00 万元，另外的费用以自筹资产金额的投入。截至本报告出具日，本项目已完成发改部门备案手续，已取得了相应的《项目备案证明》，涉及的环境影响评价等手续正在快速推进中，预计项目报批手续取得不存在实质性障碍。

  公司是一家植根中国本土市场的半导体材料和零部件公司，致力于中国集成电路制造核心工艺材料和零部件的国产化建设。目前公司大部分收入来自中国本土市场，已在供应链国产化方面取得长足进展。报告期内，公司抓住下游市场机遇，严控成本、加强管理，营业收入增加，盈利能力进一步增强。

  公司的硅零部件产品，由大直径硅材料加工而成，其终端主要使用在于存储芯片制造厂的等离子刻蚀工艺中，是需要定期更换的核心耗材。公司已在国产半导体供应链中占据了有利位置，受益于下游客户的国产化突破，硅零部件占公司总营收的比重已超过大直径硅材料，第二增长曲线进一步强化。主要情况分别说明如下：

  产品直径覆盖了从 14 英寸至 22 英寸所有规格，主要销售给中国、日本、韩国的下游客户，因此也可称之为“集成电路刻蚀用大直径硅材料”。该产品具有国际竞争力，在技术、品质、产能等方面处于世界领先水平。报告期内，公司大直径硅材料产品生产情况稳定，产品结构继续优化升级，利润率较高的16 英寸以上产品收入占比逐步提升，从 2024 年度的 51.61%提升至2025 年度的56.72%，毛利率为 76.09%，对该业务的整体毛利率水平提升有较大贡献。

  上述“大直径硅材料”，经过切片、磨片、腐蚀、打微孔、形状加工、抛光、清洗等一系列精密加工后，最终制做成等离子刻蚀机用硅零部件。公司是具备“从晶体生长到硅零部件成品”完整制造能力的一体化厂商，拥有全球领先的大直径硅材料晶体制造技术，是等离子刻蚀机设备厂家所需硅零部件产品的上游材料供应商。报告期内，硅零部件产品实现收入 23,717.16 万元，同比增长100.15%。目前公司已取得了中国本土硅零部件市场的领头羊，已进入了中国主流存储芯片制造厂及等离子刻蚀设备制造厂的供应链，以高端品类为主，发挥了独特的国产化作用。为保证未来客户批量订单的及时交付，公司子公司已经在泉州、锦州两地扩大生产规模，实现了较快速度的产能爬升。

  公司以生产技术门槛高、市场容量比较大的轻掺低缺陷抛光硅片为目标，致力于满足该产品的国内需求。报告期内，半导体大尺寸硅片实现收入 1,033.11 万元。公司持续提升生产管理上的水准，通过优化排产计划及厉行节俭措施，在满足国内主流集成电路制造厂商验证需求的条件下，兼顾了经济效益，为未来更大规模供货打下良好基础。

  在大直径硅材料领域，凭借多年的技术积累及市场开拓，公司在产品成本、良品率、参数一致性和产能规模等方面均具备较为显著的竞争优势，市场地位和市场影响力慢慢地加强。目前公司已扎根于分工严密的国际半导体供应链中，大直径硅材料直接销售给日本、韩国等国的知名硅零部件厂商。

  后者的产品销售给国际知名刻蚀机设备厂商，例如美国泛林集团（Lam Research）和日本东电电子（Tokyo Electron Limited, TEL），并最终销售给三星和台积电等国际知名集成电路制造厂商。随着集成电路制造产能向中国转移以及中国本土等离子刻蚀设备技术的突破，国内市场逐步扩大，因此公司的大直径硅材料亦面向中国市场销售。

  公司产品质量稳定性高、交期及时，为国内集成电路制造产业国产化进程做出贡献。报告期内，公司大直径硅材料产品生产情况稳定，产能得到稳健扩充；产品结构继续优化升级，利润率较高的 16 英寸以上产品收入占比上升至 56.72%；成本方面，原始多晶硅原料价格已下降并稳定至历史价格中枢。公司持续成本节俭行动，继续保持行业内领先的毛利率,报告期内达到 69.87%，较去年同期增加 6.02 个百分点，体现了公司的细分市场优势。

  在硅零部件领域，目前公司已取得了中国本土硅零部件市场的领头羊，已进入了中国主流存储芯片制造厂及等离子刻蚀设备制造厂的供应链，以高端品类为主，发挥了独特的国产化作用。随着中国本土集成电路制造产能的快速增加，以及国产等离子刻蚀设备原厂的技术进步和机台出货量增加。报告期内，公司主要经营业务收入中境内市场收入的占比为76.58%，公司硅零部件产品销售额同比增长 100.15%，以上数据体现了公司在中国集成电路制造供应链国产化过程中的独特地位。

  在半导体大尺寸硅片领域，公司核心技术团队在日本有多年的轻掺低缺陷硅片生产经验。公司是国内极少数专注于 8 英寸轻掺低缺陷技术路线的硅片厂商，具备替代海外供应商向国内集成电路制造厂商供应高质量硅片的潜在实力，有望在行业供求关系的变动中，发挥自身独特技术优势，优化变动成本，提升竞争地位。

  （1）半导体市场结构性变化对产品定制研发和本土市场规模化配套能力提出更高要求

  报告期内，全球半导体市场受到人工智能需求相关投资带动，呈现强劲复苏态势。SEMI认为，2025 年全球半导体市场的增长来自前沿的逻辑芯片和代工、生成式人工智能、高性能计算等应用的增长以及芯片在终端领域的需求。一方面，生成式AI应用快速迭代发展，算力相关存储、逻辑芯片热销；另一方面，尽管 AI+PC、AI+手机的初代产品已经面世并引起广泛关注，AI Agent 服务崭露头角，但消费电子市场能够取代“智能手机+APP”的下一代主机产品和软件服务的形态尚不明确。

  因此，下游市场的不确定性增加了上游企业对趋势的判断难度，同时也对企业的产品定制研发能力提出更高要求，唯有紧跟市场变化并推陈出新的企业才能快速反应、赢得先机。为此，行业有突出贡献的公司的业绩预测受到业界瞩目。台积电预计 2026 年营收将以美元计算增长接近 30%，明显高于全球晶圆代工产业14%的整体增速。台积电计划将 2026 年资本支出提升至 520 至 560 亿美元，较2025 年的409 亿美元增长27%至 37%，重点投向先进制程产能扩张。

  台积电强调，尽管宏观经济存在不确定性，但AI需求依然强劲，产能持续紧张，未来三年资本支出将明显地增加。SK 海力士预计 2026 年销售额将突破 165 万亿韩元，盈利有望超过100 万亿韩元，成为韩国首家达到这一里程碑的半导体企业，核心驱动力来自 HBM（高带宽内存）市场的爆发式增长。该公司还预计存储芯片供应紧张局面将持续至 2027 年，推动价格全年上涨。为此，SK 海力士计划将 2026 年资本支出增至 30 万亿韩元以上，重点投向清州 M15X 晶圆厂及龙仁半导体集群。

  中芯国际预计 2026 年出售的收益增幅将高于可比同业平均值，该公司管理层指出，产业链向本土化切换带来的重组效应将持续支撑 2026 年的收入增长，特别是在模拟类电路、显示驱动、图像传感器、存储及 MCU 等领域。2025 年下半年，国际领先的存储芯片制造厂商将既有产能用于人工智能所需的高端产品，乃至于关停消费者级产品业务，导致消费者市场所需的存储芯片产能严重收缩，库存告罄，价格飙升。

  迫于以上成本压力，国内外个人电脑和智能手机等主机厂商将目光投向中国大陆供应链，叠加中国人工智能算力建设所需，中国本土存储类集成电路制造厂商迎来难得的发展机遇。以上趋势有望成为全世界芯片制造产能加速转向中国大陆的先声，将对半导体材料与半导体零部件厂商的定制研发能力和本土市场的规模化配套能力提出更高要求。

  国际先进集成电路制造厂商的先进制程工艺正在持续进步：台积电预计2026 年开始大规模生产 2nm 制程产品，1.4nm 制程产品预计 2027 年量产，1nm 制程产品预计2028 年量产；三星电子计划 2026 年二季度量产 2nm 制程产品，持续优化 3nm 工艺；英特尔2025 年启动18A制程风险试产，目标 2026 年量产，14A 制程产品计划 2027 年推出。

  随着半导体加工制程慢慢的提升，12 英寸集成电路产品的设计线宽越来越窄，因此沟槽也相应变窄，需要更高的刻蚀精度。更高的刻蚀精度，对硅片表面的温度、刻蚀气体浓度、材料性质提出更高的均匀性要求。采用更大的腔体和更大的上电极、下电极，更容易确保硅片面内各项工艺对均匀性的要求。

  因此，目前国际领先刻蚀机厂商的最新机型，都在向着大型化方向发展。随着以上技术工艺发展，更大尺寸的硅零部件及其所需的上游材料——更大直径的大直径硅材料(16 英寸以上)的需求也将随之增加。此外，以 HBM 为代表的人工智能所需算力芯片研发竞争日趋激烈，SK Hynix、三星、美光都计划在 2026 年推出各自的新一代 HBM 产品。三维堆叠结构的 HBM 产品对TSV 工艺提出更高要求，刻蚀工艺的精准控制和优化对于确保 TSV 的准确形成和可靠性至关重要，对刻蚀技术和刻蚀应用数量提出更高要求。

  目前，公司 16 英寸以上大直径硅材料产品的技术和产能在全球市场拥有竞争优势；公司将持续研发针对体积较大、设计难度较高的 12 英寸高端制程所需硅零部件产品。

  报告期内，美国对华技术出口管制政策频繁调整且充满不确定性。2025 年1 月，美国政府发布《人工智能扩散框架》，拟进一步限制 AI 芯片出口。2025 年5 月，美国政府撤销AI扩散规则，但发布指导意见加强管制。2025 年 8 月，BIS 将英特尔大连、三星中国公司、SKHynix中国公司从“经验证最终用户名单“移除，意图限制其产能升级和扩张。2025 年12 月底，美国政府向三星、SK Hynix 颁发年度许可证，准许 2026 年向其中国工厂运送设备。

  此外，美国、欧盟、韩国、日本都已在实施数十亿至数百亿美元不等的半导体投资补贴政策。宏大的发展目标及巨额的公共资金支持，正在改变全世界半导体产业的资源流向和投资节奏。台积电在美国亚利桑那州投资 650 亿美元已完成建设两座晶圆厂，还在德国德累斯顿建设晶圆厂，计划 2027 年量产；三星电子在美国德克萨斯州投资 370 亿美元建设两座先进逻辑晶圆厂，计划2026 年投产；SK 海力士在美国印第安纳州投资 38.7 亿美元建设 HBM 先进封装厂和AI 产品研发中心，计划 2028 年下半年投产。

  芯片制造产能对本土供应链的要求极高，并非仅凭政策和补贴能够一蹴而就，公司所在的东亚,中国、日本、韩国三国的产业链优势难以撼动。全球主要经济体面向芯片制造领域的产业政策竞争持续加剧，带来的风险与机遇并存：一方面，公司的中国本土客户向美国及其盟国进口先进设备的难度大幅度提升，产品研制和产能扩张受到延缓和阻碍；另一方面，随着对华技术出口管制政策收紧，下游本土客户对国产供应商的评估认证积极性有所增强，速度有所提升，也为公司的硅零部件与半导体大尺寸硅片产品提供了更大的成长空间和更强的成长动能。

  此报告为公开摘录部分，定制化编制政府立项审批备案、资产转让并购、合资、资产重整、IPO募投可研、国资委备案、ODI备案、银行贷款、能评环评、产业基金融资、内部董事会投资决策等用途可行性研究报告可咨询思瀚产业研究院。返回搜狐，查看更加多